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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu SX (Hu, Shaoxu);  Han PD (Han, Peide);  Wang S (Wang, Shuai);  Mao X (Mao, Xue);  Li XY (Li, Xinyi);  Gao LP (Gao, Lipeng)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mao X (Mao Xue);  Han PD (Han Peide);  Gao LP (Gao Lipeng);  Mi YH (Mi Yanhong);  Hu SX (Hu Shaoxu);  Fan YJ (Fan Yujie);  Zhao CH (Zhao Chunhua);  Wang QM (Wang Qiming)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Wang, XH;  Li, DB;  Liu, XL;  Han, PD;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Han, PD;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Tripathy, S;  Tripathy, S, Inst Mat Res & Engn, 3 Res Link, Singapore 117602, Singapore. 电子邮箱地址: [email protected]
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: [email protected]
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Chen Z;  Li DB;  Wu JJ;  Li JM;  Sun XH;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Liu XL;  Wang XH;  Han PD;  Wang D;  Yuan HR;  Wang ZG;  Li GH;  Fang ZL;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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