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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
X. F. Liu
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z G. G. Yan
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Z. W. Shen
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Z. X.Wen
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L. X. Tian
;
W. S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
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F. Zhang
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G. S. Sun
;
Y. P. Zeng
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提交时间:2018/06/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. Y. Zhou
;
R. Zhang
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J. P. Sun
;
Y. L. Zou
;
D. Zhang
;
W. K. Lou
;
F. Cheng
;
G. H. Zhou
;
F. Zhai
;
Kai Chang
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提交时间:2016/04/08
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期刊论文
作者:
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
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H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
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H. J. Zhu
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D. S. Jiang
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C. L. Zhao
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B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan D (Pan, D.)
;
Jian JK (Jian, J. K.)
;
Ablat A (Ablat, A.)
;
Li J (Li, J.)
;
Sun YF (Sun, Y. F.)
;
Wu R (Wu, R.)
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Dong JJ (Dong J. J.)
;
Gao HL (Gao H. L.)
;
Si FT (Si F. T.)
;
Sun SS (Sun S. S.)
;
Tao Y (Tao Y.)
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提交时间:2012/02/21
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1542/197
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11