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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
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期刊论文
作者:
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Sun Niefeng
;
S Fung
;
Beling C D
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanyin
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Youwen
;
Sun Niefeng
;
S. Fung
;
C. D. Beling
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanying
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浏览/下载:960/380
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Youwen
;
Dong Hongwei
;
Jiao Jinghua
;
Zhao Jianqun
;
Lin Lanying
;
Sun Niefeng
;
Sun Tongnian
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浏览/下载:924/263
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提交时间:2010/11/23
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
成果
1985
主要完成人:
叶式中
;
刘巽琅
;
刘思林
;
孙同年
;
焦景华
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提交时间:2010/04/13
磷化铟