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| 电吸收调制器及其与半导体光放大器的集成研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 邵永波
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电吸收调制器 半导体光放大器 双耗尽区 交叉吸收调制 单片集成 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shao YB (Shao Yong-Bo); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Yu HY (Yu Hong-Yan); Qiu JF (Qiu Ji-Fang); Qiu YP (Qiu Ying-Ping); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Wang BJ (Wang Bao-Jun); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Wang W (Wang Wei)
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng); Lin T (Lin Tie); Shang LY (Shang Li-Yan); Huang ZM (Huang Zhi-Ming); Zhu B (Zhu Bo); Cui LJ (Cui Li-Jie); Gao HL (Gao Hong-Ling); Li DL (Li Dong-Lin); Guo SL (Guo Shao-Ling); Gui YS (Gui Yong-Sheng); Chu JH (Chu Jun-Hao); Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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