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Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体材料的制备和第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  董珊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, Z;  Shan, D;  Gang, C;  Feng, Z (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China,[email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin F (Lin Feng);  Fang ZY (Fang Zheyu);  Qu SC (Qu Shengchun);  Huang S (Huang Shan);  Song WT (Song Wentao);  Chi LF (Chi Lifeng);  Zhu X (Zhu Xing);  Chi, LF, Univ Munster, Inst Phys, D-48149 Munster, Germany
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一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  关 敏;  秦大山;  曹峻松;  曹国华;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1687/292  |  提交时间：2010/03/19
一种有机电致发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  关 敏;  秦大山;  曹峻松;  曹国华;  曾一平;  李晋闽 
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有机-无机复合发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 3992
发明人:  曹俊松;  秦大山;  曹国华;  关 敏;  曾一平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李新坤;  李清山;  梁德春;  徐言东;  谢小军
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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹峻松;  秦大山;  曹国华;  曾一平;  李晋闵
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