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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, WB;  Wang, GL;  Gao, FQ;  Qiao, ZT;  Wang, G;  Chen, MJ;  Deng, Y;  Tao, L;  Zhao, Y;  Fan, XK;  Sun, LF
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, Y;  Wang, GL;  Wang, HP;  Ni, HQ;  Chen, JH;  Gao, FQ;  Qiao, ZT;  Yang, XH;  Niu, ZC
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/141  |  提交时间:2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Yu Y (Yu Ying);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:972/197  |  提交时间:2013/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiao, Yanbin;  Feng, Shiwei;  Ma, Xiaoyu;  Wang, Xiaowei;  Guo, Chunsheng;  Deng, Haitao;  Zhang, Guangchen;  Qiao, Y.([email protected])
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/369  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, Yan;  Ni, Hai-qiao;  Wang, Hai-li;  He, Ji-fang;  Li, Mi-feng;  Shang, Xiang-jun;  Niu, Zhi-chuan;  Zhu, Y.([email protected])
Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/361  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  乔彦彬;  冯士维;  马骁宇;  王晓薇;  郭春生;  邓海涛;  张光沉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王秀平;  杨晓红;  韩勤;  鞠研玲;  杜云;  朱彬;  王杰;  倪海桥;  贺继方;  王国伟;  牛智川
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hong T (Hong Tao);  Ran GZ (Ran Guang-Zhao);  Chen T (Chen Ting);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang Y (Wang Yang);  Cheng YB (Cheng Yuan-Bing);  Liang S (Liang Song);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Yin LQ (Yin Lu-Qiao);  Zhang JH (Zhang Jian-Hua);  Wang W (Wang Wei);  Qin GG (Qin Guo-Gang);  Hong, T, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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