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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨巧林
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提交时间:2021/06/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang, WB
;
Wang, GL
;
Gao, FQ
;
Qiao, ZT
;
Wang, G
;
Chen, MJ
;
Deng, Y
;
Tao, L
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Zhao, Y
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Fan, XK
;
Sun, LF
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Dong, Y
;
Wang, GL
;
Wang, HP
;
Ni, HQ
;
Chen, JH
;
Gao, FQ
;
Qiao, ZT
;
Yang, XH
;
Niu, ZC
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提交时间:2015/03/20
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期刊论文
作者:
Dou XM (Dou Xiu-Ming)
;
Yu Y (Yu Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
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Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
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Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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提交时间:2013/03/26
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期刊论文
作者:
Qiao, Yanbin
;
Feng, Shiwei
;
Ma, Xiaoyu
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Wang, Xiaowei
;
Guo, Chunsheng
;
Deng, Haitao
;
Zhang, Guangchen
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Qiao, Y.(
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提交时间:2012/06/14
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期刊论文
作者:
Zhu, Yan
;
Ni, Hai-qiao
;
Wang, Hai-li
;
He, Ji-fang
;
Li, Mi-feng
;
Shang, Xiang-jun
;
Niu, Zhi-chuan
;
Zhu, Y.(
[email protected]
)
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提交时间:2012/06/14
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期刊论文
作者:
乔彦彬
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冯士维
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马骁宇
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王晓薇
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郭春生
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邓海涛
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张光沉
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王秀平
;
杨晓红
;
韩勤
;
鞠研玲
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杜云
;
朱彬
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王杰
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倪海桥
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贺继方
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王国伟
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牛智川
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提交时间:2011/08/16
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
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吴东海
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吴兵朋
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熊永华
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詹 峰
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黄社松
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倪海桥
;
牛智川
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hong T (Hong Tao)
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Ran GZ (Ran Guang-Zhao)
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Chen T (Chen Ting)
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Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
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Chen WX (Chen Wei-Xi)
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Wang Y (Wang Yang)
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Cheng YB (Cheng Yuan-Bing)
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Yin LQ (Yin Lu-Qiao)
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Zhang JH (Zhang Jian-Hua)
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Wang W (Wang Wei)
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Qin GG (Qin Guo-Gang)
;
Hong, T, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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提交时间:2010/10/11