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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou YF;  Pan ZL;  Liu Y;  Ai F;  Chen NF;  Huang YY;  He W;  Tang LA;  Wang JC;  Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou YF;  Wang JC;  Tang LA;  Pan ZL;  Chen NF;  Chen WC;  Huang YY;  He W;  Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, 1295 Dingxi Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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