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| 应用于TDLAS的DBR激光器及新型激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 米俊萍
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Dbr激光器 长波长 Tdlas 隧穿二极管 多种类气体探测 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, HL; Zhou, XL; Yu, HY; Mi, JP; Wang, JQ; Bian, J; Ding, Y; Chen, WX; Wang, W; Pan, JQ
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 分布反馈式激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
Adobe PDF(492Kb) | 收藏 | 浏览/下载：812/84 | 提交时间：2014/11/24 |
| 在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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