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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
J. L. Ma
;
H. L. Wang
;
X. L. Wang
;
J. H. Zhao
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提交时间:2019/11/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
J. L. Yu, Y. H. Chen, Y. Liu, C. Y. Jiang, H. Ma, L. P. Zhu, X. D. Qin
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浏览/下载:344/110
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Jiang, C. Y.
;
Ma, H.
;
Zhu, L. P.
;
Qin, X. D.
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提交时间:2013/09/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding Y (Ding Y.)
;
Fan WJ (Fan W. J.)
;
Ma BS (Ma B. S.)
;
Xu DW (Xu D. W.)
;
Yoon SF (Yoon S. F.)
;
Liang S (Liang S.)
;
Zhao LJ (Zhao L. J.)
;
Wasiak M (Wasiak M.)
;
Czyszanowski T (Czyszanowski T.)
;
Nakwaski W (Nakwaski W.)
;
Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:1163/429
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提交时间:2010/11/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun L (Sun L.)
;
Zhang L (Zhang L.)
;
Yu HJ (Yu H. J.)
;
Guo L (Guo L.)
;
Ma JL (Ma J. L.)
;
Zhang J (Zhang J.)
;
Hou W (Hou W.)
;
Lin XC (Lin X. C.)
;
Li JM (Li J. M.)
;
Sun, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Laser Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:1714/496
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提交时间:2010/11/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma JL (Ma J. L.)
;
Xiong B (Xiong B.)
;
Guo L (Guo L.)
;
Zhao PF (Zhao P. F.)
;
Zhang L (Zhang L.)
;
Lin XC (Lin X. C.)
;
Li JM (Li J. M.)
;
Duanmu QD (Duanmu Q. D.)
;
Ma, JL, Changchun Univ Sci & Technol, Changchun 130022, Jilin, Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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浏览/下载:1264/349
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提交时间:2010/10/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma J (Ma J.)
;
Guo L (Guo L.)
;
Xiong B (Xiong B.)
;
Yan X (Yan X.)
;
Zhang S (Zhang S.)
;
Chen R (Chen R.)
;
Zhao W (Zhao W.)
;
Lin X (Lin X.)
;
Li J (Li J.)
;
Duanmu Q (Duanmu Q.)
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浏览/下载:1271/313
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提交时间:2010/09/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, JY (Peng, J. Y.)
;
Wang, BS (Wang, B. S.)
;
Wang, YG (Wang, Y. G.)
;
Miao, JG (Miao, J. G.)
;
Hao, EJ (Hao, E. J.)
;
Tan, HM (Tan, H. M.)
;
Qian, LS (Qian, L. S.)
;
Ma, XY (Ma, X. Y.)
;
Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:740/212
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提交时间:2010/03/29
半导体可饱和吸收镜及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠鸾
;
王勇刚
;
林涛
;
王俊
;
郑凯
;
冯小明
;
仲莉
;
马杰慧
;
马骁宇
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浏览/下载:1278/178
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11