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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:
Gao, HX
;
Lu, J
;
Zhao, JH
;
Zhang, XH
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浏览/下载:469/125
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HX
;
Lu, J
;
Zhao, JH
;
Zhang, XH
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浏览/下载:649/123
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提交时间:2015/08/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, K
;
Qu, SC
;
Zhang, XH
;
Tan, FR
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Bi, Y
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Lu, SD
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Wang, XF
;
Lu, XH
;
Liu, B
;
Chen, D
;
Tong, YX
;
Shen, GZ
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin L
;
Zhen HL
;
Zhou XH
;
Li N
;
Lu W
;
Liu FQ
;
Lu, W, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
[email protected]
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu J
;
Xu PF
;
Zhu YG
;
Meng HJ
;
Chen L
;
Wang WZ
;
Zhang XH
;
Zhao JH
;
Pan GQ
;
Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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提交时间:2010/04/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu YG
;
Zhang XH
;
Li T
;
Chen L
;
Lu J
;
Zhao JH
;
Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address:
[email protected]
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提交时间:2010/03/08
InP、InAs和GaSb单晶材料缺陷和晶体完整性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
吕小红
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
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苗杉杉
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吕小红
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邓爱红
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杨俊
;
王博
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提交时间:2010/11/23
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
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韩修训
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李杰民
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黎大兵
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陆沅
;
王晓晖
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提交时间:2009/06/11