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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan, Furui;  Qu, Shengchun;  Jiang, Qiwei;  Liu, Junpeng;  Wang, Zhijie;  Li, Fumin;  Yue, Gentian;  Li, Shengjun;  Chen, Chong;  Zhang, Weifeng;  Wang, Zhanguo
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  阎Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Jin P (Jin Peng);  Xu B (Xu Bo);  Ye XL (Ye Xiaoling);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2680/490  |  提交时间：2011/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Liu JP (Liu Junpeng);  Tan FR (Tan Furui);  Jin L (Jin Lan);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/520  |  提交时间：2010/10/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Liu JP (Liu Junpeng);  Tan FR (Tan Furui);  Bi Y (Bi Yu);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(879Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1393/379  |  提交时间：2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY (Zhou Huiying);  Qu SC (Qu Shengchun);  Liao SZ (Liao Shuzhi);  Zhang FS (Zhang Fasheng);  Liu JP (Liu Junpeng);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(224Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1279/266  |  提交时间：2010/08/17
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1277/192  |  提交时间：2009/06/11
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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有机/无机复合半导体材料与光电转换器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  刘俊朋
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