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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Zhou, GY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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浏览/下载:945/295
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提交时间:2010/12/05
控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
金 鹏
;
陈涌海
;
徐 波
;
王占国
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浏览/下载:1789/245
  |  
提交时间:2010/03/19
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1778/222
  |  
提交时间:2009/06/11
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(750Kb)
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浏览/下载:1724/208
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提交时间:2009/06/11
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
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浏览/下载:1811/232
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
长波长自组装InAs/GaAs 量子点材料和激光器结构生长及性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
梁凌燕
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浏览/下载:1064/42
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提交时间:2009/04/13
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李路
;
刘峰奇
;
周华兵
;
梁凌燕
;
吕小晶
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浏览/下载:1624/182
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提交时间:2009/06/11
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李路
;
刘峰奇
;
刘俊岐
;
郭瑜
;
周华兵
;
梁凌燕
;
吕小晶
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JP (Liu Jun-Peng)
;
Qu SC (Qu Sheng-Chun)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Xu Y (Xu Ying)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Liang LY (Liang Ling-Yan)
;
Wang ZJ (Wang Zhi-Jie)
;
Zhou HY (Zhou Hui-Ying)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu LJ
;
Chen YH
;
Ye XL
;
Huang XQ
;
Liang LY
;
Ding F
;
Wang ZG
;
Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29