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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, K;  Pei, WH;  Li, XQ;  Gui, Q;  Tang, RY;  Liu, J;  Chen, HD
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XQ;  Pei WH;  Tang RY;  Gui Q;  Guo K;  Wang Y;  Chen HD;  Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李若园;  徐波;  王占国
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提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李若园;  徐波;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.);  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Zhou, DY;  Li, RY;  Zhao, C;  Ye, XL;  Xu, B;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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GaAs 基量子点垂直腔面发射激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  李若园
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Guo X;  Chen M;  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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