中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1642/230  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1465/186  |  提交时间：2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1587/218  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1428/167  |  提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1243/158  |  提交时间：2009/06/11
宽带隙半导体材料SiC 外延生长工艺的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  李家业
Adobe PDF(1534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1044/33  |  提交时间：2009/04/13
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1714/222  |  提交时间：2010/03/29
Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Jiaye;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang;  Sun Guosheng;  Luo Muchang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1022/397  |  提交时间：2010/11/23