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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:  Leung BH;  Fong WK;  Surya C;  Lu LW;  Ge WK;  Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Gan  Low-frequency Noise  Deep Levels  Deep Level Transient Fourier Spectroscopy  Devices  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Leung, BH;  Fong, WK;  Surya, C;  Lu, LW;  Ge, WK;  Surya, C, Hong Kong Polytech Univ, Photon Res Ctr, Dept Elect & Informat Engn, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Leung BH;  Chan NH;  Fong WK;  Zhu CF;  Ng SW;  Lui HF;  Tong KY;  Surya C;  Lu LW;  Ge WK;  Leung BH,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect & Informat Engn,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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