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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
J.P. Liu
;
L.Q. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X.G. He
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
J. Yang
;
X.J. Li
;
J.P. Liu
;
L.Q. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
GaN基材料生长与发光器件基础问题研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
乐伶聪
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提交时间:2015/11/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
X.G. He
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X.J. Li
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H. Yang
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Y.T. Zhang
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G.T. Du
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提交时间:2016/03/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
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L.C. Le
;
J. Yang
;
X. Li
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L. Q. Zhang
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J.P. Liu
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S.M. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2016/03/22
一种高阻GaN薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
何晓光
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
乐伶聪
;
李晓静
;
杨辉
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浏览/下载:847/101
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提交时间:2014/11/05
InGaN太阳能电池及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:
李亮
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
吴亮亮
;
乐伶聪
;
杨辉
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提交时间:2014/10/31
改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
吴亮亮
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
李亮
;
乐伶聪
;
杨辉
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浏览/下载:774/104
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提交时间:2014/11/24
高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:
何晓光
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
乐伶聪
;
李晓静
;
杨辉
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提交时间:2014/11/24
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人:
乐伶聪
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
陈平
;
杨静
;
何晓光
;
李晓静
;
杨辉
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提交时间:2014/12/25