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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Quan, Jiamin
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Linhart, Lukas
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Lin, Miao-Ling
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Lee, Daehun
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Zhu, Jihang
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Wang, Chun-Yuan
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Hsu, Wei-Ting
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Choi, Junho
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Embley, Jacob
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Young, Carter
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Taniguchi, Takashi
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Watanabe, Kenji
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Shih, Chih-Kang
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Lai, Keji
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MacDonald, Allan H.
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Tan, Ping-Heng
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Libisch
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提交时间:2022/09/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fa-Ran Chang
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Rui-Ting Hao
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Tong-Tong Qi
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Qi-Chen Zhao
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Xin-Xing Liu
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Yong Li
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Kang Gu
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Jie Guo
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Guo-Wei Wang
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Ying-Qiang Xu
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Zhi-Chuan Niu
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提交时间:2020/07/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Rui Ting Hao
;
Jie Guo
;
Shu Kang Deng
;
Ying Liu
;
Yan Mei Miao
;
Ying Qiang Xu
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郝瑞亭
;
申兰先
;
邓书康
;
杨培志
;
涂洁磊
;
廖华
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2011/08/04
采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
康亭亭
;
刘祥林
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提交时间:2009/06/11
一种高质量InN薄膜的获取方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张日清
;
康亭亭
;
刘祥林
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浏览/下载:1202/146
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提交时间:2009/06/11
一种高效率深紫外发光二极管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
康亭亭
;
刘祥林
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提交时间:2009/06/11
一种近场光学增强型可见光探测器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
康亭亭
;
刘祥林
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提交时间:2009/06/11
氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
康亭亭
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang, TT (Kang, Ting-Ting)
;
Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29