中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
基于传输门的双路乘法器半定制设计与研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  王凯诚
Adobe PDF(5343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：841/3  |  提交时间：2019/11/19
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王克超
Microsoft Word(21940Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：900/42  |  提交时间：2016/05/30
硅  氮化镓  外延  单芯片  白光led  湿法腐蚀  多量子阱  Mocvd  纳米线阵列  半极性面  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  K.C. Wang;  G.D.Yuan n;  R.W.Wu;  H.X.Lu;  Z.Q.Liu;  T.B.Wei;  J.X.Wang;  J.M.Li;  W.J.Zhang
Adobe PDF(1753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：233/6  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张保平;  蔡丽娥;  张江勇;  李水清;  尚景智;  王笃祥;  林峰;  林科闯;  余金中;  王启明
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1061/322  |  提交时间：2010/11/23
硅衬底及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽;  吴瑞伟;  黄芳;  王乐
Adobe PDF(1466Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：651/1  |  提交时间：2016/09/22
基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽
Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：702/2  |  提交时间：2016/09/28
一种GaN发光器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  袁国栋;  王克超;  李晋闽;  吴瑞伟;  黄芳;  王乐
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：684/1  |  提交时间：2016/09/22
有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  袁国栋;  王乐;  段瑞飞;  李晋闽;  王军喜;  黄芳;  吴瑞伟;  王克超
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：850/5  |  提交时间：2016/09/12