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无权访问的条目 期刊论文
作者:  K. K. Meng ;   L. J. Zhu;   Z. H. Jin;   E. K. Liu;   X. P. Zhao;   I. A. Malik;   Z. G. Fu;   Y. Wu;   J. Miao;   X. G. Xu;   J. X. Zhang;   J. H. Zhao;   Y. Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin Rong;  Xinqiang Wang;  Sergey V. Ivanov;  Xinhe Jiang;  Guang Chen;  Ping Wang;  Weiying Wang;  Chenguang He;  Tao Wang;  Tobias Schulz;  Martin Albrecht;  Valentin N. Jmerik;  Alexey A. Toropov;  Viacheslav V. Ratnikov;  Vladimir I. Kozlovsky;  Victor P. Martovitsky;  Peng Jin;  Fujun Xu;  Xuelin Yang;  Zhixin Qin;  Weikun Ge;  Junjie Shi;  and Bo Shen
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K (Shi K.);  Zhang PF (Zhang P. F.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Jiao CM (Jiao C. M.);  Jin P (Jin P.);  Liu XL (Liu X. L.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/406  |  提交时间：2012/02/22
Study on Broadband Emitting Self-Assembled Quantum-Dot Material and Devices 会议论文
NEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JAN 03-08, 2010
作者:  Jin P (Jin P.);  Lv XQ (Lv X. Q.);  Liu N (Liu N.);  Zhang ZY (Zhang Z. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Superluminescent Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  You JB (You J. B.);  Cai PF (Cai P. F.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  An Q (An Q.);  Ma XB (Ma X. B.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1463/443  |  提交时间：2010/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv XQ (Lv X. Q.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY (Zhou G. Y.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Tang CG (Tang C. G.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhou, GY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng XQ (Meng X. Q.);  Jin P (Jin P.);  Liang ZM (Liang Z. M.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhang ZY (Zhang Z. Y.);  Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. [email protected]
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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