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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL (Huang, Jianliang);  Ma WQ (Ma, Wenquan);  Wei Y (Wei, Yang);  Zhang YH (Zhang, Yanhua);  Cui K (Cui, Kai);  Cao YL (Cao, Yulian);  Guo XL (Guo, Xiaolu);  Shao J (Shao, Jun)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YH;  Ma, WQ;  Wei, Y;  Cao, YL;  Huang, JL;  Cui, K;  Guo, XL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang QZ (Huang Qingzhong);  Zhang XL (Zhang Xinliang);  Xia JS (Xia Jinsong);  Yu JZ (Yu Jinzhong)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1468/341  |  提交时间：2010/08/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang TM (Huang TianMao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai YM (BaiYiMing);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Zhang H (Zhang Han);  Wang Y (Wang Yu);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG;  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Che XL;  Li L;  Liu FQ;  Huang XQ;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
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