中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, LL;  An, JM;  Zhang, JS;  Wu, YD;  Li, JG;  Wang, HJ;  Wang, Y;  Pan, P;  Zhong, F;  Zha, Q;  Yin, XJ;  Hu, XW;  Zhao, DG
Adobe PDF(1655Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：363/24  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni XW;  Hu XJ;  Zhou SY;  Sun CH;  Bai XX;  Chen P;  Hu, XJ, Chinese Acad Sci, Key Lab Photochem Convers & Optoelect Mat, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. [email protected];  [email protected]
Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1811/591  |  提交时间：2011/07/05
倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1816/265  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan J (Yan Jun);  Sun CH (Sun Chenghua);  Tan;  FR (Tan Furui);  Hu XJ (Hu Xiujie);  Chen P (Chen Ping);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zhou SY (Zhou Shuyun);  Xu JK (Xu Jingkun);  Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2483/972  |  提交时间：2010/04/13
氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1623/220  |  提交时间：2010/03/19
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1636/220  |  提交时间：2009/06/11
Design and Simulation Analysis of Spot-Size Converter in Silicon-On-Insulator 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Yin XJ (Yin Xiaojie);  Wu YD (Wu Yuanda);  Hu XW (Hu Xiongwei);  Yin, XJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1858/560  |  提交时间：2010/06/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1434/599  |  提交时间：2010/03/08
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1654/246  |  提交时间：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1653/200  |  提交时间：2009/06/11