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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:
Nan, HY
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Wang, ZL
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Wang, WH
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Liang, Z
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Lu, Y
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Chen, Q
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He, DW
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Tan, PH
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Miao, F
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Wang, XR
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Wang, JL
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Ni, ZH
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Xing, JL
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Zhang, Y
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Xu, YQ
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Wang, GW
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Wang, J
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Xiang, W
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Ni, HQ
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Ren, ZW
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He, ZH
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Niu, ZC
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提交时间:2015/05/11
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期刊论文
作者:
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Wang, LJ
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Ren, ZW
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He, ZH
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Xing, JL
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Niu, ZC
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提交时间:2013/02/07
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期刊论文
作者:
Pan SD
;
Zhao LN
;
Yuan Y
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Zhu SN
;
He JL
;
Wang YG
;
Pan SD Nanjing Univ Natl Lab Solid State Microstruct Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address:
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Pan SD (Pan Shu-Di)
;
He JL (He Jing-Liang)
;
Hou YE (Hou Yu-E)
;
Fan YX (Fan Ya-Xian)
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Wang HT (Wang Hui-Tian)
;
Wang YG (Wang Yong-Gang)
;
Ma XY (Ma Xiao-Yu)
;
Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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[email protected]
;
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Liu J
;
Wang YG
;
Yang JM
;
He JL
;
Ma XY
;
Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu J
;
Wang YG
;
Tian WM
;
Gao LY
;
He JL
;
Ma XY
;
Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Liu J
;
Gao LY
;
Wang YG
;
Tian WM
;
He JL
;
Ma XY
;
Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
高击穿电压的高电子迁移率晶体管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐晓华
;
倪海桥
;
牛智川
;
贺正宏
;
王建林
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan YX
;
He JL
;
Wang YG
;
Liu S
;
Wang HT
;
Ma XY
;
Wang, HT, Nanjing Univ, Natl Lab Solid Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/17