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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan); Hao, RT, Yunnan Normal Univ, Inst Solar Energy, Key Lab Renewable Energy Adv Mat & Mfg Technol, Educ Minist, Kunming 650092, Yunnan Province, Peoples R China. [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝瑞亭; 申兰先; 邓书康; 杨培志; 涂洁磊; 廖华; 徐应强 ; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang B; Xu YQ; Zhou ZQ; Hao RT; Wang GW; Ren ZW; Niu ZC; Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou ZQ; Xu YQ; Hao RT; Tang B; Ren ZW; Niu ZC; Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Chen HJ; Sun WG; Hao RT; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 610000 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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