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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang, SH;  Zhang, TT;  Barate, P;  Frougier, J;  Vidal, M;  Renucci, P;  Xu, B;  Jaffres, H;  George, JM;  Devaux, X;  Hehn, M;  Marie, X;  Mangin, S;  Yang, HX;  Hallal, A;  Chshiev, M;  Amand, T;  Liu, HF;  Liu, DP;  Han, XF;  Wang, ZG;  Lu, Y
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  de la Chapelle, ML;  Han, HX;  Tang, CC;  de la Chapelle, ML, Univ Technol Troyes, Lab Nanotechnol & Instrumentat Opt, 12 Rue Marie Curie,BP 2060, F-10010 Troyes, France. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K;  Han, HX;  Li, GH;  Sou, IK;  Ge, WK;  Fang, ZL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei, WS, Beihang Univ, Ctr Mat Phys & Chem, Sch Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Fang ZL;  Su FH;  Ding K;  Han HX;  Li GH;  Ma BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(226Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/402  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  葛惟锟;  苏付海;  马宝珊;  刘南竹;  朱作明;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强
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