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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LX (Wang, Lanxiang);  Su SJ (Su, Shaojian);  Wang W (Wang, Wei);  Yang Y (Yang, Yue);  Tong Y (Tong, Yi);  Liu B (Liu, Bin);  Guo PF (Guo, Pengfei);  Gong X (Gong, Xiao);  Zhang GZ (Zhang, Guangze);  Xue CL (Xue, Chunlai);  Cheng BW (Cheng, Buwen);  Han GQ (Han, Genquan);  Yeo YC (Yeo, Yee-Chia)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, GQ;  Su, SJ;  Zhou, Q;  Guo, PF;  Yang, Y;  Zhan, CL;  Wang, LX;  Wang, W;  Wang, QM;  Xue, CL;  Cheng, BW;  Yeo, YC
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu GQ;  Chen L;  Rizwan S;  Zhao JH;  Xu K;  Han XF;  Han, XF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100190, Peoples R China, [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao CW (Zhao C. W.);  Xing YM (Xing Y. M.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Han GQ (Han G. Q.)
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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/204  |  提交时间:2009/06/11
利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:  Yu, JZ;  Han, GQ;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ;  Zeng YG;  Liu Y;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(1138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:861/294  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ;  Zeng YG;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
Adobe PDF(1649Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:700/175  |  提交时间:2010/03/08