×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [7]
中国科学院半导体研究... [1]
纳米光电子实验室 [1]
作者
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [2]
2010 [1]
2007 [1]
语种
中文 [2]
英语 [2]
出处
Optics Exp... [2]
光子学报 [1]
资助项目
收录类别
SCI [2]
CSCD [1]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
S. Luo
;
H.M. Ji
;
F. Gao
;
F. Xu
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
Adobe PDF(1839Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:393/4
  |  
提交时间:2016/03/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
F. Gao
;
S. Luo
;
H.M. Ji
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
Adobe PDF(1607Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:278/3
  |  
提交时间:2016/03/22
高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
季海铭
Adobe PDF(11409Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1771/185
  |  
提交时间:2010/07/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王勇刚
;
彭继迎
;
檀慧明
;
钱龙生
;
柴路
;
张志刚
;
王清月
;
林涛
;
马骁宇
Adobe PDF(302Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:881/269
  |  
提交时间:2010/11/23
生长InP基InAs量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(434Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1064/102
  |  
提交时间:2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
Adobe PDF(361Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:859/79
  |  
提交时间:2014/10/28
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(292Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:863/112
  |  
提交时间:2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
杨涛
;
高凤
;
罗帅
;
季海铭
Adobe PDF(531Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:748/30
  |  
提交时间:2016/09/28
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
Adobe PDF(446Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:663/6
  |  
提交时间:2016/09/28