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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu L;  Chen NF;  Bai YM;  Cui M;  Zhang H;  Gao FB;  Yin ZG;  Zhang XW;  Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1055/307  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu L;  Chen NF;  Wang Y;  Bai YM;  Cui M;  Gao FB;  Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
Adobe PDF(790Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：917/260  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘磊;  陈诺夫;  汪宇;  白一鸣;  崔敏;  高福宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB;  Chen NF;  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L;  Yin ZG;  Wu JL;  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovolatic cells by liquid phase epitaxy - art. no. 68411E 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Liu L;  Chen NF;  Gao FB;  Yin ZG;  Bai YM;  Zhang XW;  Liu, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thermophotovoltaic Cell  
红外探测材料InAsSb/GaSb的LPE生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  高福宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB (Gao Fubao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wu JL (Wu Jinliang);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Gao FB;  Zhang XW;  Chen CL;  Wu JL;  Yu YD;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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