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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zou, Q
;
Belle, BD
;
Zhang, LZ
;
Xiao, WD
;
Yang, K
;
Liu, LW
;
Wang, GQ
;
Fei, XM
;
Huang, Y
;
Ma, RS
;
Lu, Y
;
Tan, PH
;
Guo, HM
;
Du, SX
;
Gao, HJ
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浏览/下载:532/171
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Q
;
Du, SX
;
Zhang, YY
;
Jiang, N
;
Shi, DX
;
Gao, HJ
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浏览/下载:853/209
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
朱蓉辉
;
曾一平
;
卜俊鹏
;
惠峰
;
郑红军
;
赵冀
;
高永亮
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浏览/下载:1037/334
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提交时间:2010/11/23
与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
刘海军
;
高鹏
;
顾明
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浏览/下载:1567/140
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提交时间:2009/06/11
深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
高鹏
;
顾明
;
刘海军
Adobe PDF(737Kb)
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浏览/下载:1156/123
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hujin (Hujin)
;
Yang, GW (Yang, Guowei)
;
Wang, SJ (Wang, Shoujue)
;
Gao, XH (Gao, Xuhui)
;
Hujin, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intelligent Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
;
[email protected]
;
[email protected]
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浏览/下载:590/0
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提交时间:2010/03/29
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(423Kb)
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浏览/下载:1593/412
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
An integrated optical receiver in MS/RF CMOS process
会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:
Liu HJ (Liu Haijun)
;
Xu XS (Xu Xingsheng)
;
Mao LH (Mao Luhong)
;
Gao P (Gao Peng)
;
Chen HD (Chen Hongda)
;
Liu, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(624Kb)
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浏览/下载:1571/234
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提交时间:2010/03/29
Amplifier
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘海军
;
高鹏
;
陈弘达
;
顾明
;
许奇明
;
刘金彬
;
黄北举
Adobe PDF(534Kb)
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提交时间:2010/11/23
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
安俊明
;
李健
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郜定山
;
夏君磊
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
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提交时间:2009/06/11