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具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
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具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  葛惟锟;  苏付海;  马宝珊;  刘南竹;  朱作明;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强
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