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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yanbo;  Du, Yandong;  Chen, Yankun;  Li, Xiaoming;  Yang, Xiang;  Han, Weihua;  Yang, Fuhua
Adobe PDF(3099Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/197  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Xiaoming;  Han, Weihua;  Wang, Hao;  Ma, Liuhong;  Zhang, Yanbo;  Du, Yandong;  Yang, Fuhua
Adobe PDF(828Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：865/279  |  提交时间：2014/05/08
飞秒激光光刻技术制备T型栅AiGaN/GaN_HEMT的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  杜彦东
Adobe PDF(2344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1207/63  |  提交时间：2012/06/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Wei;  Zhang, Renping;  Du, Yandong;  Han, Weihua;  Yang, Fuhua
Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：818/225  |  提交时间：2013/04/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yanbo;  Du, Yandong;  Xiong, Ying;  Yang, Xiang;  Han, Weihua;  Yang, Fuhua,;  Han, W.([email protected])
Adobe PDF(747Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：991/286  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1941/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1506/336  |  提交时间：2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1600/342  |  提交时间：2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1604/343  |  提交时间：2012/09/07