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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: YuLian Cao; XiaoNan Hu; XianShu Luo; JunFeng Song; Yuanbing Cheng; ChengMing Li; Chong-Yang Liu; Hong Wang; Liow Tsung Yang; GuoQiang Lo; QiJie Wang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM; Liu XL; Li CM ; Wei HY; Guo Y; Jiao CM; Li ZW; Xu XQ; Song HP; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL; Yang TY; Wang HH; Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]; [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu GP (Liu Guipeng); Wu J (Wu Ju); Lu YW (Lu Yanwu); Zhang BA (Zhang Biao); Li CM (Li Chengming); Sang L (Sang Ling); Song YF (Song Yafeng); Shi K (Shi Kai); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wu J (Wu Ju); Li CM (Li Chengming); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国
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| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国
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