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| 应用于5G通信的Doherty功率放大器的设计 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 程培森
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. Y. Zhou; R. Zhang; J. P. Sun; Y. L. Zou; D. Zhang; W. K. Lou; F. Cheng; G. H. Zhou; F. Zhai; Kai Chang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 边程浩; 石寅; 倪卫宁; 景为平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡炜玄 ; 成步文; 薛春来; 薛海韵; 苏少坚; 白安琪; 罗丽萍; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fang C (Fang Cheng); Wang ZG (Wang Zhi-Gang); Li SS (Li Shu-Shen); Zhang P (Zhang Ping); Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ding WC; Hu D; Zheng J; Chen P; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Ding, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xin, P (Xin Ping); Sun, CW (Sun Cheng-Wei); Qin, FW (Qin Fu-Wen); Wen, SP (Wen Sheng-Ping); Zhang, QY (Zhang Qing-Yu); Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
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