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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [53]
作者
杨少延 [20]
尹志岗 [4]
陈涌海 [1]
李成明 [1]
张兴旺 [1]
文献类型
期刊论文 [41]
专利 [11]
发表日期
2007 [1]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1254/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1402/153
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1315/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1343/128
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提交时间:2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:1189/151
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提交时间:2009/06/11
低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
;
陈诺夫
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
宋书林
;
陈诺夫
;
周剑平
;
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen CL
;
Chen NF
;
Liu LF
;
Wu JL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Chen, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu LF
;
Chen NF
;
Song SL
;
Yin ZG
;
Yang F
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Liu, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/17