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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XL;  Chen, TS;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Luo, WJ;  Tang, J;  Guo, LC;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Chen TS;  Jiao G;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected];  [email protected]
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