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有序多孔InP 结构及其内壁外延研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  车晓玲
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Che XL;  Li L;  Liu FQ;  Huang XQ;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄秀颀;  刘峰奇;  车晓玲;  刘俊岐;  雷文;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang XQ;  Liu FQ;  Che XL;  Liu JQ;  Lei W;  Wang ZG;  Huang, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong XL(董晓莉);  Zhao BR(赵柏儒);  Zhao ZX(赵忠贤);  Liu W(刘维);  Zhou L(周镭);  Xu B(许波);  Chen H(陈红);  Che GC(车广灿);  Ni YM(倪泳明);  Yin B(尹渤);  Li JW(李静维);  Zhao LH(赵立华);  Xu ZY(徐仲榆)
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