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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 张兴旺 ; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Dong JJ (Dong J. J.); Zhang XW (Zhang X. W.); You JB (You J. B.); Cai PF (Cai P. F.); Yin ZG (Yin Z. G.); An Q (An Q.); Ma XB (Ma X. B.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.); Chu PK (Chu Paul K.); Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cai PF; You JB; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Cai PF; Dong JJ; Gao Y; Yin ZG; Chen NF; Wang RZ; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 蔡培锋
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang BL; Cai FF; Sun GS; Fan HB; Zhang PF; Wei HY; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]; [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Fan YM; Yin ZG; Cai PF; Chen NF; Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈娓兮; 钟勇; 蔡兵; 赵冀徽; 焦鹏飞; 王舒民; 石志文; 高俊华
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