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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, WQ;  Cheng, BW;  Xue, CL;  Li, CB
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Wang ZG;  Liang LY;  Cheng BC;  Liu JP;  Peng WQ;  Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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Anodic Alumina Films  
自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Huang Q;  Cheng WQ;  Zhou JM;  Zhang YH;  Sheng TT;  Tung CH;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 60336,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Shi JJ;  Cheng WQ;  Li YK;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Huang Q;  Cheng WQ;  Zhou JM;  Zhang YH;  Sheng TT;  Tung CH;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603 36,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(1248Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：945/285  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  DU QH;  WANG TH;  MAO JM;  CHENG WQ;  ZHOU JM;  HUANG Q;  DU QH CHINA CTR ADV SCI & TECHNOLWORLD LABPOB 8730BEIJING 100080PEOPLES R CHINA
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