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| 新型Si基纳米阵列结构及其光电特性 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 白安琪
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ (Bai An-Qi); Zheng J (Zheng Jun); Tao YL (Tao Ye-Liao); Zuo YH (Zuo Yu-Hua); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming)
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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