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中国科学院半导体研究所机构知识库
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提交时间:2022/07/26
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期刊论文
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提交时间:2017/03/10
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
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马志勇
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冉学军
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肖红领
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王翠梅
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胡国新
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唐健
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罗卫军
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
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Li HP (Li Hanping)
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Jinmin LM (Li Jinmin)
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Wang ZG (Wang Zhanguo)
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Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29