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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张 扬
;
张会肖
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
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浏览/下载:1527/265
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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提交时间:2009/06/11
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1724/270
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Yan FW (Yan Fawang)
;
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Yan FW (Yan Fawang)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Yan FW (Yan Fawang)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail:
[email protected]
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提交时间:2010/04/11
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Zhuhai, PEOPLES R CHINA, JAN 18-21, 2006
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gan Nanorods
Ga2o3/zno Films
Nitritding
Morphology
Chemical-vapor-deposition
Films
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Yan, JC (Yan, Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址:
[email protected]
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提交时间:2010/03/29