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| 硅中离子注入硫属元素引入深能级的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 高利朋
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作者: Hu, Shaoxu; Han, Peide; Wang, Shuai; Mao, Xue; Li, Xinyi; Gao, Lipeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu, Shaoxu; Han, Peide; Wang, Shuai; Mao, Xue; Li, Xinyi; Gao, Lipeng
Adobe PDF(487Kb) | 收藏 | 浏览/下载：657/179 | 提交时间：2013/05/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu SX (Hu, Shaoxu); Han PD (Han, Peide); Wang S (Wang, Shuai); Mao X (Mao, Xue); Li XY (Li, Xinyi); Gao LP (Gao, Lipeng)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li XY (Li Xinyi); Han PD (Han Peide); Gao LP (Gao Lipeng); Mao X (Mao Xue); Hu SX (Hu Shaoxu)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Mao X (Mao Xue); Han PD (Han Peide); Gao LP (Gao Lipeng); Mi YH (Mi Yanhong); Hu SX (Hu Shaoxu); Fan YJ (Fan Yujie); Zhao CH (Zhao Chunhua); Wang QM (Wang Qiming)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉启江; 韩培德 ; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾凡平; 韩培德; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
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| 硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人: 胡少旭; 韩培德; 李辛毅; 毛雪; 高利朋
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