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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志强 ; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 王立彬; 陈宇; 马龙
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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 王良臣; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 张杨; 戴扬; 杨富华; 曾一平; 王良臣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王立彬; 陈宇; 刘志强; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王立彬; 刘志强; 陈宇; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Dai Yang; Huang Yinglong; Liu Wei; Ma Long; Yang Fuhua; Wang Liangchen; Zeng Yiping; Zheng Houzhi
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁萌; 王国宏; 范曼宁; 郭德博; 刘广义; 马龙; 王良臣; 李晋闽
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕
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