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SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu, Yuxiang;   Shi, Lin;   Luo, Jun-Wei;   Li, Shu-Shen;   Wang, Lin-Wang
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