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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bai YiMing; Wang Jun; Yin ZhiGang; Chen NuoFu; Zhang XingWang; Fu Zhen; Yao JianXi; Li Ning; He HaiYang; Guli MiNa Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/200  |  提交时间:2013/10/10 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang Y (Wang, Yu); Zhang XW (Zhang, Xingwang); Zhang XL (Zhang, Xiulan); Chen NF (Chen, Nuofu) Adobe PDF(1272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:698/164  |  提交时间:2013/03/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cui, Min; Chen, Nuofu; Yang, Xiaoli; Zhang, Han Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1039/377  |  提交时间:2013/04/19 |
| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12 发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1980/284  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫 Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2958/425  |  提交时间:2010/08/12 |
| 用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12 发明人: 崔 敏; 陈诺夫; 王彦硕; 白一鸣 Adobe PDF(329Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1754/236  |  提交时间:2010/08/12 |
| 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12 发明人: 张兴旺; 高 云; 屈 盛; 陈诺夫 Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1876/314  |  提交时间:2010/08/12 |
| 检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12 发明人: 高 云; 屈 盛; 张兴旺; 陈诺夫 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1856/271  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bai YM (Bai YiMing); Wang J (Wang Jun); Chen NF (Chen NuoFu); Yao JX (Yao JianXi); Yin ZG (Yin ZhiGang); Zhang H (Zhang Han); Zhang XW (Zhang XingWang); Huang TM (Huang TianMao); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected] Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/341  |  提交时间:2010/08/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected] Adobe PDF(671Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1272/350  |  提交时间:2010/11/14 |