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中国科学院半导体研究所机构知识库
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锰掺杂锑化镓晶体的性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
陈晓锋
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Xiaofeng
;
Chen Nuofu
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Chai Chunlin
;
Yu Yude
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Yanshuo
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Yang Xiaoli
;
Bai Yiming
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Cui Min
;
Wang Yu
;
Chen Xiaofeng
;
Huang Tianmao
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提交时间:2010/11/23
单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王彦硕
;
陈诺夫
;
白一鸣
;
黄添懋
;
陈晓峰
;
张汉
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提交时间:2011/08/31
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
陈晓锋
;
陈诺夫
;
吴金良
;
张秀兰
;
柴春林
;
俞育德
Adobe PDF(285Kb)
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提交时间:2011/08/31