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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  陈俊宏
Adobe PDF(4232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：682/0  |  提交时间：2023/07/03