SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共11条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Lu ;  Yuan Jiang;   Zheng Lou;   Ruilong Shi ;   Di Chen ;   Guozhen Shen
Adobe PDF(1811Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2021/06/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao-lu Yuan;  Yu-ting Zheng;  Xiao-hua Zhu;  Jin-long Liu;  Jiang-wei Liu;  Cheng-ming Li;  Peng Jin;  Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1036Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2020/07/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao-lu Yuan;  Yu-ting Zheng;  Xiao-hua Zhu;  Jin-long Liu;  Jiang-wei Liu;  Cheng-ming Li;  Peng Jin;  Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1036Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2020/07/31
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
Adobe PDF(620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/152  |  提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1937/185  |  提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
Adobe PDF(461Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1570/212  |  提交时间:2009/06/11
Si(111)衬底GaN生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  陆沅
Adobe PDF(1677Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:948/45  |  提交时间:2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(178Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:949/319  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
Adobe PDF(128Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:858/234  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/305  |  提交时间:2010/11/23