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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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GaN 基异质结中的极化效应及Si 衬底GaN 生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  郭伦春
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LC (Guo Lunchun);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang JX (Wang Junxi);  Hu GX (Hu Guoxin);  Guo LC (Guo Lunchun);  Li JP (Li Jianping);  Li JM (Li Jinmin);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭伦春;  王晓亮;  王军喜;  肖红领;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  郭伦春;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  曾一平;  李晋闽
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