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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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有序多孔InP 结构及其内壁外延研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
车晓玲
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浏览/下载:753/14
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提交时间:2009/04/13
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
路秀真
Adobe PDF(737Kb)
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浏览/下载:1427/190
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提交时间:2009/06/11
一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
王占国
Adobe PDF(718Kb)
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浏览/下载:1508/210
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Junqi
;
Lu Xiuzhen
;
Guo Yu
;
Huang Xiuqi
;
Che Xiaoling
;
Lei Wen
;
Liu Fengqi
Adobe PDF(628Kb)
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄秀颀
;
刘峰奇
;
车晓玲
;
刘俊岐
;
雷文
;
王占国
Adobe PDF(360Kb)
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浏览/下载:893/317
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提交时间:2010/11/23