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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Gan, Qiaoqiang
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提交时间:2022/07/26
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Islam, Md Rasidul
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Liu, Kong
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提交时间:2022/12/29
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Zhao, Chao
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Jiang, Hui
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Liu, Kong
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Qu, Shengchun
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Wang, Zhijie
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Wang, Zhanguo
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Yang, Meiyin
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提交时间:2022/07/15
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提交时间:2022/03/28
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Soopy, Abdul Kareem K.
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Najar, Adel
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提交时间:2022/12/29
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Islam, Md. Rasidul
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Liu, Kong
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Wang, Zhijie
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提交时间:2022/11/03
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提交时间:2012/06/14
半导体纳米结构的液滴外延生长及性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
赵超
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提交时间:2009/04/13
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
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徐波
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陈涌海
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金鹏
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王占国
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提交时间:2009/06/11